substrate
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substrate 〔ｓ´∧ｂｓｔｒｅｉｔ〕 기질(효소의 작용으로 화학반응을 일으키는 물질), (세균의)배양기
[百] 기질 (基質) substrate
[百] 기질특이성 (基質特異性) substrate specificity
[百] 기판 (基板) substrate
substrate 기질,기체
[生] Substrate (기질) (基質)
substrate 기판
enzyme-substrate complex : 효소-기질 복합체
intermediate enzyme-substrate complex : 효소-기질 중간 복합체
limiting substrate : 증식제한기질
substrate : 기질
substrate analog : 기질 유사체
substrate cycle : 기질 회로
substrate level : 기질 수준
substrate level phosphorylation : 기질 준위 인산화
substrate-bridge complex : 기질 다리 복합체
HS8420105000
롤 라미네이터(인쇄회로기판이나 인쇄회로 제조에 전용 또는 주로 사용되는 종류의 것으로 한정한다)
Roll laminators of a kind used solely or principally for the manufacture of printed circuit substrates or printed circuits
HS8424892000
인쇄회로기판이나 인쇄회로 제조에 전용 또는 주로 사용되는 종류의 것
Of a kind used solely or principally for the manufacture of printed circuit substrates or printed circuits
HS8424909020
인쇄회로기판이나 인쇄회로 제조에 전용 또는 주로 사용되는 종류의 것
Of a kind used solely or principally for the manufacture of printed circuit substrates or printed circuits
HS8486301040
감광성 평판디스플레이용 기판에 회로모형을 투영하거나 드로잉하는 기기
Apparatus for the projection or drawing of circuit patterns on sensitised flat panel display substrates
HS8486302040
감광성 평판디스플레이용기판에 회로모형을 투영하거나 드로잉하는 기기
Apparatus for the projection or drawing of circuit patterns on sensitised flat panel display substrates
HS8486401010
패턴형성기(주로 사진 감광액이 도포된 감광판으로부터 마스크와 레티클을 제조하기 위해 사용되는 것)
Pattern generating apparatus of a kind used for producing masks or reticles from photoresist coated substrates
컨트롤프로틴,세포융해체또는조직융해체 Control proteins or cell lysates or tissue lysates
단백질화학형광검출시약,키트또는기질 Protein chemifluorescent detection reagents or kits or substrates
단백질화학발광검출시약,키트또는기질 Protein chemiluminescent detection reagents or kits or substrates
단백질색소검출시약,키트또는기질 Protein chromogenic detection reagents or kits or substrates
DNA정량화마커 Deoxyribonucleic acid DNA quantitation markers
DNA사이즈마커또는사이즈스탠다드 Deoxyribonucleic acid DNA size markers or standards
IEF마커 Isoelectric focusing IEF markers
단백질전기영동마커 Protein electrophoresis markers
RNA마커또는스탠다드 Ribonucleic acid RNA markers or standards
블로팅 멤브레인 Blotting membranes
실리콘 기판 silicon substrate
substrate : 기판
neuroanatomic substrate (신경 해부학적 기질, 신경 해부학적 물질)
substrate (기질) a substance upon which an enzyme acts.
유리기판 대응 저온형성 니켈실리사이드 연구
Property of Low Temperature Nickel Silicide on Glass Substrate
RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 Al2O3 기판위에 성장한 MgxZn1-xO 에피박막의 구조 및 광학적 특성에 관한 연구
Structural and Optical properties of MgxZn1-xO epitaxial thin films grown on Al2O3 substrates by RF magnetron sputtering
가) "반도체 기반"이란 반도체 기판 위에 형성·제조되었거나 반도체 재료로 만들어진 것으로서, 반도체 기술로 제조되고, 반도체 기판이나 재료가 트랜스듀서 기능과 성능에 핵심적이고 대체불가능한 역할을 수행하며, 그 작동이 물리적·전기적·화학적·광학적 특성을 포함한 반도체 특성에 기반하는 것을 말한다.
(1) “Semiconductor-based” means built or manufactured on a semiconductor substrate or made of semiconductor materials, manufactured by semiconductor technology, in which the semiconductor substrate or material plays a critical and unreplaceable role of transducer function and performance, and the operation of which is based on semiconductor properties including physical, electrical, chemical and optical properties.
(100)실리콘 기판의 결정방향에 따른 다공질 실리콘 형성의 이방성에 관한 연구
Anisotropic Property of Porous Silicon Formation Dependent on Crystal
Direction of (100) Silicon Substrates
-
다공질 실리콘을 형성하는데 있어서 이방성 양극 반응 과정을 관찰하였다.
We have observed anisotropic anodisation process for porous silicon formation.
실험재료는 n형 기판위에 n+가 확산되고 그 위에 n 에피층이 있는
n/n+/n 구조의 (100) 실리콘 웨이퍼였다.
The starting material was (100) silicon n/n+/n wafer structured by
n+ -diffusion on n-type substrate and by subsequent n-epitaxial growth.
상층부 n 실리콘 에피층을 식각하여 다공질 실리콘 층의 양극 반응 창을 내고
양극반응이 n+매몰층까지만 일어나게 한다.
After the top n-silicon epitaxial layer was etched to open the porous
silicon layer(PSL) anodisation window, anodisation takes place only
to n+ -buried layer.
다공질 실리콘 층의 형성과정은 이방성이었다.
The process of porous silicon formation on (100) sample was anisotropic,
반응창의 형태들이 서로 다를지라도 반응된 다공질 실리콘 영역의
모양은 모두 사각형 형태의 것이었다.
which was evident from that the shapes of the reacted porous silicon layer
was all squarelike regardless of the shapes of reaction windows.
이 실험 결과는 다공질 실리콘 양극반응은 화학반응에 달려 있는 것이 아니고
전기전도 성질 즉 결정방향에 따른 정공의 서로 다른 전도도에 있다는 것을 보여준다.
The experimental results show that the PSL anodisation process
does not depend on chemical reaction but does on electrical conduction property,
which is hole mobility depending on the crystal direction.
(100)실리콘의 깊은 비등방성 식각시 식각면의 가장자리에 존재하는
불균일성의 짤막한 고찰
Short Consideration on the Non-Uniformities Existing at the Etched-edges
in Deep Anisotropic Etching of (100) Silicon
-
(100) 실리콘 기판에 대해 깊은 비등방성 식각을 행한 경우 식각면의
가장자리에 존재하는 불균일성은 식각 계면의 격자결함과 기계적 응력에
의한 것임을 관찰할 수 있었다.
In deep anisotropic etching of (100)-oriented Si substrate,
it could be observed that the non-uniformities existing
near the etched-edge were caused by lattice defects and mechanical
stress at the etching interface.
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